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碳化硅涂層物理氣相相關(guān)內(nèi)容

2024-12-12

一、物理氣相沉積(PVD)制備碳化硅涂層的原理


物理氣相沉積(PVD)制備碳化硅涂層時(shí),是在真空環(huán)境下將固態(tài)碳化硅材料蒸發(fā)或?yàn)R射到基材表面形成薄膜。這個(gè)過程可分三個(gè)工藝步驟:


鍍料的氣化:在反應(yīng)室中注入如氬氣等氣體,使鍍料(碳化硅)蒸發(fā)、升華或被濺射,成為氣化源。鍍料原子、分子或離子從這個(gè)氣化源產(chǎn)生,這是PVD制備碳化硅涂層的起始步驟。

鍍料原子、分子或離子的遷移:由氣化源供出的原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后,產(chǎn)生多種反應(yīng),這些原子、分子或離子開始遷移,為在基材上沉積做準(zhǔn)備。

鍍料原子、分子或離子在基體上沉積:被擊脫的固體表面原子在基底表面上重新沉積,最終形成碳化硅涂層薄膜。在這個(gè)過程中,原子、分子或離子按照一定規(guī)律在基體上層層沉積,構(gòu)建出碳化硅涂層。


碳化硅涂層


二、物理氣相沉積(PVD)制備碳化硅涂層的特點(diǎn)


較高的附著力和致密性:采用PVD方法制備的碳化硅涂層具有較高的附著力,能夠牢固地附著在基材表面。同時(shí),其致密性較好,可以有效地防止外界物質(zhì)的侵入,起到良好的保護(hù)作用。

適用于復(fù)雜形狀的涂層:由于PVD是在真空環(huán)境下通過原子、分子或離子的沉積來形成涂層,所以它可以適應(yīng)復(fù)雜形狀的基材,能夠在各種形狀的表面上均勻地沉積碳化硅涂層,這是其相對于其他制備方法的一個(gè)顯著優(yōu)勢。


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